Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2021153351 Art A1 5. August 2021

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021153351
Aktenzeichen: EP21748114
Anmeldetag: 19. Januar 2021
Veröffentlichung: 5. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B25/20H01L21/336H01L21/66H01L29/12H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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