Nitride semiconductor device with in-situ etched layer and method of fabricating same

WO2021157992 Art A1 12. August 2021

Anmelder: SEOUL VIOSYS CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021157992
Aktenzeichen
EP21750468
Anmeldetag
2. Februar 2021
Veröffentlichung
12. August 2021
Rechtsraum
WO
IPC
H01L33/00H01L33/22H01L33/12
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SEOUL VIOSYS CO., LTD.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Seoul Viosys Co., Ltd.

Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.

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