Nitride semiconductor device with in-situ etched layer and method of fabricating same
WO2021157992
Art A1
12. August 2021
Anmelder: SEOUL VIOSYS CO., LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021157992
- Aktenzeichen
- EP21750468
- Anmeldetag
- 2. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 12. August 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01L33/22H01L33/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SEOUL VIOSYS CO., LTD.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Seoul Viosys Co., Ltd.
Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.
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