Method for manufacturing nitride semiconductor device

WO2021161509 Art A1 19. August 2021

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021161509
Aktenzeichen: EP20918234
Anmeldetag: 14. Februar 2020
Veröffentlichung: 19. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.464 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho

Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, bekannt als Toyota Central R&D Labs, ist die zentrale Forschungseinrichtung des japanischen Toyota-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Verfahrenstechnik, ergänzt um Werkstoffchemie und Antriebstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

431 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von