Vapor-phase epitaxy device and production method for gallium nitride

WO2021161613 Art A1 19. August 2021

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION AND RESEARCH SYSTEM 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021161613
Aktenzeichen: EP20918375
Anmeldetag: 24. November 2020
Veröffentlichung: 19. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/34C30B25/14H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION AND RESEARCH SYSTEM
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System

Die National University Corporation Tokai National Higher Education and Research System ist ein japanischer Hochschulverbund mit medizinischem und naturwissenschaftlichem Forschungsschwerpunkt. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Pharma-/Biotechnologie und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2019 bis 2025 reichen von Osteogenese-Fördermitteln bis zu Polymer-Elektrolytmembranen.

619 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von