Method for forming thin film by using surface protection material

WO2021162240 Art A1 19. August 2021

Anmelder: EGTM CO., LTD., SK HYNIX INC. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021162240
Aktenzeichen
EP20918456
Anmeldetag
30. Dezember 2020
Veröffentlichung
19. August 2021
Rechtsraum
WO
IPC
C23C16/455C23C16/40
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
EGTM CO., LTD.
SK HYNIX INC.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

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