Field effect transistors containing electric field assist layers at gate corners and method of making the same

WO2021162735 Art A1 19. August 2021

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021162735
Aktenzeichen: EP20918573
Anmeldetag: 11. Juni 2020
Veröffentlichung: 19. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/8232H01L23/528H01L27/092H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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