Multi-division staircase structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

WO2021163820 Art A1 26. August 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021163820
Aktenzeichen: EP20919426
Anmeldetag: 17. Februar 2020
Veröffentlichung: 26. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/11556

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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