Hydrophobic membrane structure, detection method and detection system therefor, and wafer carrier

WO2021164624 Art A1 26. August 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021164624
Aktenzeichen: EP21757358
Anmeldetag: 8. Februar 2021
Veröffentlichung: 26. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C09J7/29G01N21/78H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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