Metal oxide, method for forming metal oxide, and semiconductor device

WO2021165783 Art A1 26. August 2021

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021165783
Aktenzeichen: EP21756835
Anmeldetag: 9. Februar 2021
Veröffentlichung: 26. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L21/8234H01L21/8242H01L27/06H01L27/088H01L27/108H01L27/1156

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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