Silicon single crystal production method
WO2021166361
Art A1
26. August 2021
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021166361
- Aktenzeichen
- EP20920509
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 26. August 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/04C30B15/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.180 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.