Method for forming a resist pattern and radiation-sensitive resin composition
WO2021166488
Art A1
26. August 2021
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021166488
- Aktenzeichen
- EP21757264
- Anmeldetag
- 12. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 26. August 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C08F20/12G03F7/038G03F7/039G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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