Backside Reactive Inhibition Gas

WO2021167958 Art A1 26. August 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021167958
Aktenzeichen: EP21756969
Anmeldetag: 17. Februar 2021
Veröffentlichung: 26. August 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/56C23C16/04C23C16/06C23C16/54C23C16/458H01L21/285H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von