Memory device and method for forming the same
WO2021168681
Art A1
2. September 2021
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021168681
- Aktenzeichen
- EP20922303
- Anmeldetag
- 26. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 2. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11524
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
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