Semiconductor structure and manufacturing method therefor

WO2021169862 Art A1 2. September 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2021169862
Aktenzeichen
EP21760094
Anmeldetag
20. Februar 2021
Veröffentlichung
2. September 2021
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/027G03F7/26
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von

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