Metal oxide, method for forming metal oxide film, and device for forming metal oxide film

WO2021171136 Art A1 2. September 2021

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021171136
Aktenzeichen: EP21759942
Anmeldetag: 17. Februar 2021
Veröffentlichung: 2. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/365H01L21/8242H01L27/108H01L27/1156H01L21/336H01L29/788H01L29/792H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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