Semiconductor device and production method therefor, and field effect transistor

WO2021172067 Art A1 2. September 2021

Anmelder: WASEDA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021172067
Aktenzeichen: EP21761260
Anmeldetag: 15. Februar 2021
Veröffentlichung: 2. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/318H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WASEDA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Waseda University

Waseda University ist eine private japanische Universität mit Sitz in Tokio und breitem ingenieurwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess- und Werkstofftechnik. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit dem Jahr 2000.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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