Multi-Layer Hardmask For Defect Reduction in Euv Patterning
WO2021173557
Art A1
2. September 2021
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021173557
- Aktenzeichen
- EP21760013
- Anmeldetag
- 23. Februar 2021
- Veröffentlichung
- 2. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/311H01L21/033H01L21/67C23C16/505
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- LAM RESEARCH CORPORATION
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
12.049 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
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