Three-dimensional memory device with source structure and methods for forming the same

WO2021174381 Art A1 10. September 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021174381
Aktenzeichen: EP20923569
Anmeldetag: 2. März 2020
Veröffentlichung: 10. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11578H01L27/11568H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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