Single gate field-effect transistor component and method for adjusting driving current thereof
WO2021174685
Art A1
10. September 2021
Anmelder: SOOCHOW UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021174685
- Aktenzeichen
- EP20922916
- Anmeldetag
- 26. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 10. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOOCHOW UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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