Parameter analysis method and device of mask plate

WO2021175245 Art A1 10. September 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021175245
Aktenzeichen: EP21765379
Anmeldetag: 3. März 2021
Veröffentlichung: 10. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/36G03F1/84G03F1/72

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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