Micro-light-emitting diode device having increased efficiency in low-current region, method for manufacturing same, and display comprising same
WO2021177591
Art A1
10. September 2021
Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021177591
- Aktenzeichen
- EP21764826
- Anmeldetag
- 13. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 10. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/06H01L33/30H01L33/00H01L27/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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