Tuning voltage setpoint in a pulsed rf signal for a tunable edge sheath system

WO2021178185 Art A1 10. September 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021178185
Aktenzeichen: EP21764855
Anmeldetag: 24. Februar 2021
Veröffentlichung: 10. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32H03H7/40H01L21/67H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von