Atomic layer etching of molybdenum

WO2021178399 Art A1 10. September 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021178399
Aktenzeichen: EP21763589
Anmeldetag: 2. März 2021
Veröffentlichung: 10. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213H01L21/3205H01L21/67H01L27/11551H01L27/11578

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von