Capacitor array structure and forming method therefor

WO2021179926 Art A1 16. September 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021179926
Aktenzeichen: EP21768270
Anmeldetag: 1. März 2021
Veröffentlichung: 16. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/77H01L23/522H01L23/532H01L27/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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