Method for detecting defect in semiconductor manufacturing process

WO2021180045 Art A1 16. September 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021180045
Aktenzeichen: EP21768448
Anmeldetag: 8. März 2021
Veröffentlichung: 16. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20G03F7/004

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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