Method for testing stability of x-ray photoelectron spectrometer
WO2021180099
Art A1
16. September 2021
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021180099
- Aktenzeichen
- EP21767841
- Anmeldetag
- 10. März 2021
- Veröffentlichung
- 16. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01N23/2273
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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