Electrostatic protection circuit, integrated circuit, and electrostatic discharge method

WO2021180120 Art A1 16. September 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021180120
Aktenzeichen: EP21768301
Anmeldetag: 10. März 2021
Veröffentlichung: 16. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H02H9/04H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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