Semiconductor structure and method for forming same, and fuse array

WO2021180124 Art A1 16. September 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021180124
Aktenzeichen: EP21767320
Anmeldetag: 10. März 2021
Veröffentlichung: 16. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/535H01L27/02H01L23/48H01L23/60H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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