Dry etching method, method for producing semiconductor device, and dry etching gas composition
WO2021182311
Art A1
16. September 2021
Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021182311
- Aktenzeichen
- EP21766933
- Anmeldetag
- 4. März 2021
- Veröffentlichung
- 16. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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