Memory device and method for forming the same

WO2021184148 Art A1 23. September 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021184148
Aktenzeichen: EP20926239
Anmeldetag: 16. März 2020
Veröffentlichung: 23. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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