Double-sided capacitor structure and forming method therefor
WO2021185108
Art A1
23. September 2021
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021185108
- Aktenzeichen
- EP21772417
- Anmeldetag
- 8. März 2021
- Veröffentlichung
- 23. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/64H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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