Composition, method for forming resist underlayer film, and method for forming resist pattern
WO2021187599
Art A1
23. September 2021
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021187599
- Aktenzeichen
- EP21771798
- Anmeldetag
- 18. März 2021
- Veröffentlichung
- 23. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C08G8/08C08F212/14C08F220/12C08F220/22C08L25/18C08L33/04C08L101/02G03F7/11G03F7/20G03F7/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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