Ultra-Stable Silicon Anode By Three-Dimensional Nano Architecture Design

WO2021188579 Art A1 23. September 2021

Anmelder: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021188579
Aktenzeichen: EP21771945
Anmeldetag: 16. März 2021
Veröffentlichung: 23. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C01B32/182C01B33/027H01M4/134H01M10/0525

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Johns Hopkins University

US-amerikanische Privatuniversität mit Sitz in Baltimore, Maryland. Die Johns Hopkins University betreibt Forschung in Medizin, Biotechnologie, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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