Method for regulating growth of sip crystal

WO2021189874 Art A1 30. September 2021

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021189874
Aktenzeichen: EP20927449
Anmeldetag: 16. November 2020
Veröffentlichung: 30. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/10C30B29/62C30B25/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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