Hemt device having multi-metal gate structure and fabrication method therefor

WO2021189923 Art A1 30. September 2021

Anmelder: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL TECHNOLOG, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021189923
Aktenzeichen: EP20926847
Anmeldetag: 30. November 2020
Veröffentlichung: 30. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL TECHNOLOG
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

1.295 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von