Semiconductor etching method
WO2021190406
Art A1
30. September 2021
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021190406
- Aktenzeichen
- EP21774354
- Anmeldetag
- 19. März 2021
- Veröffentlichung
- 30. September 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/311H01L21/3065H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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