Memory device and program operation thereof

WO2021190448 Art A1 30. September 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021190448
Aktenzeichen: EP21775818
Anmeldetag: 22. März 2021
Veröffentlichung: 30. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G11C5/14G11C16/16H01L27/11551H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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