Composition for forming resist underlayer film for electron beam or extreme ultraviolet light lithography, resist underlayer film for electron beam or extreme ultraviolet light lithography, and method for producing semiconductor substrate

WO2021193030 Art A1 30. September 2021

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021193030
Aktenzeichen: EP21776321
Anmeldetag: 9. März 2021
Veröffentlichung: 30. September 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C08G77/26G03F7/039G03F7/11G03F7/20H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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