High aspect ratio dielectric etch with chlorine

WO2021202070 Art A1 7. Oktober 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021202070
Aktenzeichen: EP21781905
Anmeldetag: 10. März 2021
Veröffentlichung: 7. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/02H01L21/3205H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von