Semiconductor device
WO2021205879
Art A1
14. Oktober 2021
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021205879
- Aktenzeichen
- EP21784322
- Anmeldetag
- 24. März 2021
- Veröffentlichung
- 14. Oktober 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/04H01L21/3205H01L21/768H01L21/8234H01L23/522H01L23/532H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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