Two-dimensional semiconductor transistor having reduced hysteresis and manufacturing method therefor

WO2021206219 Art A1 14. Oktober 2021

Anmelder: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021206219
Aktenzeichen: EP20930467
Anmeldetag: 17. Juni 2020
Veröffentlichung: 14. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/05H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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