Methods for selective deposition of tungsten atop a dielectric layer for bottom up gapfill

WO2021207537 Art A1 14. Oktober 2021

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021207537
Aktenzeichen: EP21785301
Anmeldetag: 8. April 2021
Veröffentlichung: 14. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213H01L21/285H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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