3d nand flash and operation method thereof
WO2021207965
Art A1
21. Oktober 2021
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021207965
- Aktenzeichen
- EP20931161
- Anmeldetag
- 15. April 2020
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.