Memory structure and formation method for memory structure

WO2021208833 Art A1 21. Oktober 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021208833
Aktenzeichen: EP21788814
Anmeldetag: 12. April 2021
Veröffentlichung: 21. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L29/10H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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