Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2021210293 Art A1 21. Oktober 2021

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021210293
Aktenzeichen: EP21787773
Anmeldetag: 8. März 2021
Veröffentlichung: 21. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/12H01L29/739H01L21/336H01L21/329H01L29/868H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von