Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion device
WO2021210600
Art A1
21. Oktober 2021
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021210600
- Aktenzeichen
- EP21788747
- Anmeldetag
- 14. April 2021
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/07H01L25/18H01L21/28H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/12H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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