Methods of utilizing etch-stop material during fabrication of capacitors, integrated assemblies comprising capacitors

WO2021211258 Art A1 21. Oktober 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021211258
Aktenzeichen: EP21789265
Anmeldetag: 19. März 2021
Veröffentlichung: 21. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L27/11551H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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