Transformer isolator having rf shield structure for effective magnetic power transfer
WO2021211269
Art A1
21. Oktober 2021
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021211269
- Aktenzeichen
- EP21788002
- Anmeldetag
- 23. März 2021
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01F27/36H01F27/32H01F27/30H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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