Memory device and programming method thereof

WO2021212399 Art A1 28. Oktober 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021212399
Aktenzeichen: EP20931848
Anmeldetag: 23. April 2020
Veröffentlichung: 28. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/10G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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