Semiconductor mark and forming method therefor

WO2021213032 Art A1 28. Oktober 2021

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021213032
Aktenzeichen: EP21793289
Anmeldetag: 9. März 2021
Veröffentlichung: 28. Oktober 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20G03F9/00H01L21/68G01B11/00H01L23/544

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik

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